觀點網訊：11月9日，清溢光電（688138.SH）公告稱，公司控股子公司佛山清溢微擬在現有高端半導體掩膜版生產基地建設項目一期、二期基礎上，投資建設“高端半導體掩膜版生產基地建設項目三期”。

第三期項目計劃總投資額不超過15億元，主要產品為覆蓋28nm-14nm製程的高端半導體掩膜版。

據披露，該項目建設地點為佛山市南海區丹竈鎮丹鳳路6號，建設期36個月，預計2026年12月開工。

項目資金來源為佛山清溢微自有或自籌資金，不涉及募集資金。

公告顯示，該項目已獲公司董事會審議通過，無需提交股東會審議，尚需履行項目備案、環境影響評價等行政審批手續。